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PEC-电力电子带你看SiC和GaN技术与发展展望

http://www.electric.hc360.com2013年09月18日10:28 来源:Bodo功率T|T

    近二十年来碳化硅半导体材料开始被行内人士重视,因为它有许多优势。早在上世记50年代,在黄昆、谢希德合著的“半导体物理学”著作中已介绍了半导体碳化硅。最早进入制作半导体器件的材料是锗,随后,硅和三、五族半导体材料登上了历史舞台。直至如今电力电子领域的晶闸管和IGBT等高压、大电流器件仍是使用硅单晶材料。由于碳化硅器件设计理论有所突破,人们对更高性能的大功率半导体器件的期望也越来越迫切。

    据权威媒体分析,SiC和GaN器件将大举进入电力电子市场,预计到2020年,SiC和GaN功率器件将分别获得14%和8%市场份额。未来电力电子元器件市场发展将更多地集中到SiC和GaN的技术创新上。

    SiC器件因为成熟度和可靠性更佳,发展脚步将领先GaN。SiC功率器件增长动力主要来自可再生能源领域,在太阳能市场占有率将达32%。在轨道交通领域,SiC和GaN的应用相当,预计到2020年,两者市场份额分别为16%和15%。在IT和电子设备市场,GaN较SiC更有优势,估计2020年市场份额可达14%。

    GaN刚刚起步但后劲十足,GaN是一种宽带隙材料,可提供类似SiC的性能特色,但有更大的成本降低潜力。这一性价比优势是有可能实现的,因为GaN功率器件可在硅衬底上生长出来,与SiC衬底相比,它的成本更低。

    由于全球经济的不景气和SiC的价格下降幅度并不如预期的大,SiC和GaN功率器件需求市场近几年并没有出现强烈增长。与之相反,业界对GaN技术的信心开始增长,因为更多的半导体供应商宣布GaN的开发计划。

    随着国家相关政策的完善及战略性新兴产业的崛起,电力电子技术在风能、太阳能、热泵、水电、生物质能、绿色建筑、新能源装备、电动汽车等先进制造业等重要领域都将发挥重要作用,而这其中的许多领域都在“十二五”规划中具备万亿以上的市场规模,其必然带动电力电子技术及产业高速发展,迎来重大的发展机遇。

    据悉,PEC电力电子苏州站(10月25-26日,苏州会议中心),将迎来业界内知名企业及行业组织专家,共同探讨SiC和GaN在未来的发展趋势,以及能否真正意义上为国民经济带来质的飞跃等话题。如CREE科锐将隆重出席会议,并为观众带来碳化硅器件的发展与应用的精彩演讲,来自中国科学院州纳米研究所的专家,将为业内分享GaN电力电子器件的相关知识。众多权威专业媒体还将进行现场报道,敬请期待!

    

    小知识:

    PEC是PowerElectronicsChina的缩写,内容涵盖电力电子器件(工业/消费)、电力电子装置、GaN/SiC材料、汽车电力电子、半导体制造与封装、电能质量、电源管理、散热管理、磁性元件、能量储存、无源器件以及测试测量等。

    苏州内容涵盖电力电子市场发展趋势等政策解读、光伏、智能电网变革、能源互联网、能源效率、汽车电力电子、电动交通这、GaN与SiC等。

    西安内容涵盖电力电子市场发展趋势、国产大功率器件、电力电子与轨道交通技术、生产与配套、GaN与SiC等。

    

责任编辑:蔡亚微推荐

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