LDO的输出噪声受其内部设计和外部旁路、补偿电路的影响。图1所示，导致LDO输出噪声的主要来源是基准源，由基准产生的噪声在输出端被放大。输出噪声Vn的表达式如下：

    Vn=(R1+R2)/R2×Vref(2)

    基准源旁路电容CBP可影响基准噪声，增大旁路电容能够使基准噪声降低。建议使用陶瓷电容的典型值为470pF到0.01mF。旁路电容会对LDO输出电压上升的速度产生影响，旁路电容值越大，输出电压上升速率越慢，在使用时要注意。

    影响LDO输出噪声的其它因素还有：LDO内部极点、零点和输出极点及负载的大小。增大输出电容的容量或减轻输出负载有利于降低高频输出噪声。图3为旁路电容CBP对SGM2007输出噪声的影响。   

图3基准旁路电容对输出噪声值的影响

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    图4为基准旁路电容对SGM2007PSRR影响，可见增大旁路电容会在一定频率上提高PSRR的值。   

图4基准旁路电容对PSRR值的影响

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