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三菱电机将推出集成IGBT和逆导二极管的功率半导体模块

2006/5/25/10:01 来源:日经BP社

  三菱电机日前开发出了将过去独立的IGBT和逆导二极管集成于单芯片的功率半导体“RC-IGBT”,准备将它与控制IC配备到一起推出功率半导体模块“PS21961”。输出电流为3A,耐压为600V。主要面向小型民用终端的马达驱动用反相电路。2006年8月开始供应样品,同年12月投入量产。样品价格为1200日元。其定位是该公司功率半导体模块“超小型DIP- IPM Ver.4系列”新产品。

  RC-IGBT是“Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor(逆导绝缘栅双极晶体管)”的简称。对IGBT和逆导二极管进行单芯片集成,能够减少模块所封装的芯片数量和布线。配备RC-IGBT的模块为全球首例。模块外形尺寸为38mm×24mm×3.5mm。

  
三菱电机最近通过减小芯片厚度,降低底板的电阻成分,降低了IGBT的导通电阻。不过,芯片厚度已经变得相当薄了,因此已经难以继续主要通过降低导通电阻提高IGBT了。为此,该公司开始推进IGBT的集成化,强化了旨在提高IGBT附加值的开发。

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