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罗姆开发出全球导通电阻最小的功率MOSFET样品
 
慧聪网   2006年3月23日10时14分   信息来源:中国自动化网    

   罗姆公司(ROHM)日前开发出了采用导通电阻降至约为原来一半的SiC的功率MOSFET。将于2006年内供应工业样品。耐电压900V,导通电阻为3.1mΩ·cm2。在SiC MOSFET中,导通电阻为全球最小,只有耐电压相同、采用硅的DMOS的约1/80或IGBT的约1/6。主要面向工业设备及混合动力车的马达驱动电路及电源电路等。罗姆于2004 年12月发布的试制品为导通电阻7.15mΩ、耐压1000V。该公司表示,将一边观察市场对工业样品的反应,一边探讨量产时间以及设立生产线的投资规模等。

   此次为降低导通电阻而进行的改进主要有2点。一是减小了芯片上集成的多个功率MOSFET单元的体积。单元面积从原来的16μm×16μm减小到了10μm×10μm。另一点是采用了可将沟道载流子迁移率提高至原来3倍~4倍的栅极绝缘膜形成工艺。

   试制品的芯片尺寸为0.9mm×0.9mm。该公司介绍,通过将导通电阻大约降至原来的一半,成功地将芯片面积减小到了1/3~1/2左右。

 
 
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