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我国自主知识产权硅电容传感器将实现国产化
 
慧聪网   2005年12月26日10时41分   信息来源:《科技日报》    

   我国首台具有自主知识产权的硅电容传感器日前在沈阳问世。11月29日,中国仪器仪表行业协会、中国机械工业集团公司、中国仪器仪表行业协会传感器分会联合举办了硅电容、硅压阻复合传感器推研会。专家认为,这两种产品达到了当今国际先进水平,填补了国内空白,将改变我国企业一直靠进口硅电容传感器的历史。    

  传感器是工业自动化控制领域很重要的部件,目前,我国高性能传感器基本依赖进口,严重阻碍了相关变送器产品的开发和生产,牵制和影响了民族产业的发展。在国家“863”计划、国家中小企业创新基金、科技部新产品专项基金的支持下,沈阳仪表科学研究院研制成功硅电容、硅压阻复合传感器。该院是传感器国家工程研究中心的依托单位,传感器生产的工艺条件、设备条件在国内处于领先地位。科研人员通过技术攻关,突破了影响传感器性能的多项工艺难点和关键技术,研制出的高性能硅电容差压传感器,具有自补偿效应,核心元件采用微机械加工技术,温度范围宽,精度高,稳定性好,成功实现了新型高性能传感器的自主开发和智能变送器核心部件的自主配套。硅压阻复合传感器,是能同时感受两种或两种以上不同被测量参数并转换成可用信号输出的传感器,满足了工业智能仪表用传感器的需求。这两种产品的问世并实现产业化,提升了我国压力传感器、变送器的性能档次,缩小了仪表行业与国外产品差距,填补了我国自主生产智能仪表的空白。   

  据了解,沈阳仪表科学研究院已经在沈阳高新区投资7000万元,建设产业化生产基地,明年下半年投入生产后,将形成传感器及配套仪表产品批量生产能力。 
 
 
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